浙江西门子数控系统全国代理商

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 西门子PLCS7-200程序数据断电保存方法　西门子PLCS7-200程序数据的断电保存方法，主要可分三种，其数据断电保存方法及特点如下：

一、在系统块中设置断电数据保持功能来保存数据。

在S7-200的编程中，系统块中有一项功能为断电数据保持设置，设置范围包括V存储区、M存储区、时间继电器T和计数器C(其中定时器和计数器只有当前值可被保持，而定时器位或计数器位是不能被保持的)。其基本工作原是在PLC外部供电中断时，利用PLC内部的超级电容供电，保持系统块中所设置的断电数据保持区域的数值保持不变，而将非保持区域的数据值归零。由于超级电容容量的限制，在西门子的资料中宣称只能保存几天时间。对于M存储区中的qianshi四个字节(即MB0-MB13)，当设为断电数据保持，在PLC外部供电中断时，PLC内部自动将以上存储区的数据转移到EEPROM中，因此可实现断电永玖保存。

若需更长的RAM存储器断电数据保存时间，西门子公司可提供一个可选的电池卡，在超级电容耗尽后继续提供电能，延长数据保存时间(约200天)。

二、在编程时建立数据块来保存数据。

在程序设计的编程阶段，可在编程中建立数据块，并赋予需要的初始值，编程完成后随程序一起下载到PLC的RAM存储器中，CPU同时自动将其转存于EEPROM，作为EEPROM储器中的V数据永存储区。因EEPROM的数据保存不需要供电维持，所以可以实现永玖保存。若在系统块中相应V存储区未设为断电数据保持，在每次PLC上电初始，CPU自动将EEPROM中的V数据值读入RAM的V存储区。若相应V存储区设为断电数据保持，在每次PLC上电初始，CPU检测断电数据保存是否成功。若成功，则保持RAM中的相应V数据保持不变。若保存不成功，则将EEPROM中的相应V数据值读入RAM的V存储区。此方法只适用于V数据的断电数据保存。

三、在程序中用SMB31和SMW32来保存数据。

在程序中将要保存的V存储器地址写入SMW32，将数据长度写入SMB31，并置SM31.7为1。在程序每次扫描的末尾，CPU自动检查SM31.7，如果为1，则将指定的数据存于EEPROM中，并随之将SM31.7置为零，保存的数据会覆盖先前EEPROM中V存储区中的数据。在保存操作完成之前，不要改变RAM中V存储区的值。存一次EEPROM操作会将扫描时间增加15至20毫秒。因为存EEPROM的次数是有限制的(Z少10万次，典型值为100万次)，所以必须控制程序中保存的次数，否则将导致EEPROM的失效。

结合以上的了解和工地调试的经验，

在实际应用中，若遇到需程序数

西门子PLCS7-200程序数据断电保存方法　西门子PLCS7-200程序数据的断电保存方法，主要可分三种，其数据断电保存方法及特点如下：

一、在系统块中设置断电数据保持功能来保存数据。

在S7-200的编程中，系统块中有一项功能为断电数据保持设置，设置范围包括V存储区、M存储区、时间继电器T和计数器C(其中定时器和计数器只有当前值可被保持，而定时器位或计数器位是不能被保持的)。其基本工作原是在PLC外部供电中断时，利用PLC内部的超级电容供电，保持系统块中所设置的断电数据保持区域的数值保持不变，而将非保持区域的数据值归零。由于超级电容容量的限制，在西门子的资料中宣称只能保存几天时间。对于M存储区中的前  十四个字节(即MB0-MB13)，当设为断电数据保持，在PLC外部供电中断时，PLC内部自动将以上存储区的数据转移到EEPROM中，因此可实现断电永玖保存。

若需更长的RAM存储器断电数据保存时间，西门子公司可提供一个可选的电池卡，在超级电容耗尽后继续提供电能，延长数据保存时间(约200天)。

二、在编程时建立数据块来保存数据。

在程序设计的编程阶段，可在编程中建立数据块，并赋予需要的初始值，编程完成后随程序一起下载到PLC的RAM存储器中，CPU同时自动将其转存于EEPROM，作为EEPROM储器中的V数据永存储区。因EEPROM的数据保存不需要供电维持，所以可以实现永玖保存。若在系统块中相应V存储区未设为断电数据保持，在每次PLC上电初始，CPU自动将EEPROM中的V数据值读入RAM的V存储区。若相应V存储区设为断电数据保持，在每次PLC上电初始，CPU检测断电数据保存是否成功。若成功，则保持RAM中的相应V数据保持不变。若保存不成功，则将EEPROM中的相应V数据值读入RAM的V存储区。此方法只适用于V数据的断电数据保存。

三、在程序中用SMB31和SMW32来保存数据。

在程序中将要保存的V存储器地址写入SMW32，将数据长度写入SMB31，并置SM31.7为1。在程序每次扫描的末尾，CPU自动检查SM31.7，如果为1，则将指定的数据存于EEPROM中，并随之将SM31.7置为零，保存的数据会覆盖先前EEPROM中V存储区中的数据。在保存操作完成之前，不要改变RAM中V存储区的值。存一次EEPROM操作会将扫描时间增加15至20毫秒。因为存EEPROM的次数是有限制的(Z少10万次，典西门子与重庆大学深化校企合作4月22日，西门子重庆大学校园活动在重庆大学民主湖畔举行。重庆大学的近百名师生和来自西门子基础设施与城市业务领域的代表参与了包括奖学金颁发、西门子实习生计划介绍、工程科学前沿讲坛和建筑工程前沿讲座在内的一系列活动。“校企合作是西门子在华发展的一个长期承诺，我很高兴看到西门子与重庆大学的互信和合作能够得到进一步深化。